램이 4GB이면 윈도 비스타나 윈도 7을 쌩쌩 돌릴 수 있다는 생각은 이제 통하지 않나 보다. 그림 편집기와 웹 창을 몇 개 띄웠을 뿐인데, 1~2GB를 넘나들는 가상 메모리 파일 때문에 노트북이 하드디스크를 긁어댄다. 더 견디기도 괴롭고 램 값도 전보다 많이 내린 참이라 4GB 램 두 개를 장만했다.
삼성은 2010년 7월부터 30nm 공정으로 생산한 램을 내놓고 있다. 아쉽게도 상표가 그려진 딱지에 나온 M4171xxxxxCH0-CH9이란 번호에서 CH0의 C가 40nm 공정으로 나왔음을 뜻하고 있다. 30nm 공정 제품은 이 자리에 D라고 적힌다. 아무래도 30nm 공정으로 나온 것이 40,50nm로 나온 것보다 전력을 적게 쓰고 열이 난다. 소비 전력과 열이 줄이면 제조사도 더 빠른 램을 내놓을 수 있다.
삼성 DDR3 램은 30, 40nm 공정 제품과 1.35v인 절전형 제품(그린 메모리)와 1.5v 제품이 섞여 나오고 있다. 램 일련번호에서 CH9의 C가 1.5v를 뜻하고, C 대신 Y가 붙으면 1.35v를 뜻한다고 한다. 삼성 DDR3 램의 공정과 전압을 구분하는 방법에 관한 설명이 아래 글에 잘 나와 있다.
CPU-Z 정보 윈도 7 시스템 정보 램을 4GB에서 8GB로 늘리니 가상 메모리 때문에 버벅대는 일은 사라졌다. 절전 상태에서 깨웠을 때 화면이 깨지는 문제가 생겼지만 별다른 어려움은 없다. DDR2을 쓰는 노트북이 있어서 DDR2 4GB짜리는 어떤가 하고 찾아 보았더니, 한 개 값이 DDR3의 4배를 넘는 17만원이나 하였다. 어쩌면 있는 것도 다행이겠다 싶지만, 턱없이 비싼 값에 마음을 접었다.
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